格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即|s10全球总决赛冠军

格芯昨天宣布将发售具有7纳米先进性能的(7LP)FinFET半导体技术。其40%的性能飞跃满足了高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用程序的市场需求。目前正在准备设计套件，基于7LP技术的第一批客户产品将于2018年上半年上市，预计在2018年下半年批量生产。2016年9月，格芯在高性能芯片生产中充分利用了无与伦比的技术文化基础，发表了开发自己的7纳米FinFET技术的计划。

随着晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表达接近最初的性能目标。与以往基于14nmfinfet技术的产品相比，面积预计将减少一半，同时处理性能最多提高40%。现在，在格芯位于纽约萨拉托加省的世界领先的Fab8晶圆厂，这项技术已经被设计为为客户服务。格芯CMOS事业部高级副总裁GreggBartlett先生说：“我们的7纳米FinFET技术正在按计划进行开发。

我发现格芯计划在2018年发货的多样化产品对客户很有魅力。7在开展纳米芯片在今后一年构建市场化的同时，格芯大力开发下一代5纳米和此前的技术，保证了我们的顾客有必要在最先进的领域提供世界级的技术蓝图。

”格芯还将继续投资于新一代技术节点的研究开发。通过与合作伙伴IBM和三星的密切合作，自2015年格芯以后，宣布发售7纳米测试芯片。

之后，格芯最近推出了业界第一个由硅纳米芯片晶体管制作的5纳米的样品片。目前，格芯正在寻找一系列新的晶体管体系结构，以帮助客户迈向下一个网络智能时代。格芯的7纳米FinFET技术利用了14纳米FinFET技术的批量生产经验，于2016年初2月8日在Fab8晶片工厂开始生产。从那以后，格芯已经在普遍的客户中获得了“一次顺利”的设计。

为了减缓7LP的量产，格芯继续投资最近的工艺设备能力，包括今年下半年首次购买两个超紫外光(EUV )光刻工具。7LP的初期批量生产提高与以往的光刻方式相结合，在没有批量生产条件的情况下转移到EUV光刻技术。章：“我们很高兴看到格芯先进设备的7纳米工艺带来的先进技术。AMD和格芯的合作专注于构建高性能的产品，带来更沉浸式、直观的计算体验。

》——MarkPapermaster，AMD高级副总裁兼首席技术负责人“晶体管结构不是技术顺利的唯一最重要的因素，但依然分担着极其重要的作用。这是7纳米芯片批量生产过程中最重要的里程碑，证明格芯的工艺流程已经从成熟期开始不足，不足以开展可靠的客户产品设计。同时，该公司已经走向5纳米以上的精细芯片市场。

目前世界上与这种先进创意技术匹敌的公司数不胜数，格芯无疑是这个精英团队中最重要的一员。》——PatrickMoorhead、MoorInsightsStrategy社长兼最高分析师“格芯很大程度上展示了美国在尖端技术领域的领先地位，如果之后能通过7纳米芯片的研究进行变革，格芯将是这个领域的所有技术诺过去很多人还没有走到格芯2020-03-30的这一步，后来就结束了。这是一种从摩尔定律中汲取价值的新战略方式，在困难地越过10纳米的领域后，格芯冲刺攻占了7纳米的领域。其他公司集中资源，在一半或四分之一节点开展研究开发。

本文来源：s10全球总决赛冠军-www.proseriesjapan.com